[发明专利]一种柔性铜基硫属半导体薄膜太阳电池窗口层结构

摘要

本发明公开了一种柔性铜基硫属半导体薄膜太阳电池窗口层结构，由下至上依次为柔性基底、铜基硫属半导体薄膜吸收层、缓冲层和窗口层，其中，窗口层是由石墨烯层和通过掺杂、加氢、光刻或边缘修饰改性处理的改性石墨烯层组成的复合层；该柔性铜基硫属半导体薄膜太阳电池窗口层结构以石墨烯复合层替换包括高阻本征ZnO薄膜和低阻透明导电氧化物的脆性窗口层，可有效解决柔性太阳电池抗弯折性差的问题，并且避免了现有溅射法制备窗口层时给底层薄膜带来物理损伤，同时大大降低了太阳电池的成本，满足工业大规模生产要求。

主权项

一种柔性铜基硫属半导体薄膜太阳电池窗口层结构，由下至上依次为柔性基底、铜基硫属半导体薄膜吸收层、缓冲层和窗口层，其特征在于，所述的窗口层是由石墨烯层和通过掺杂、加氢、光刻或边缘修饰改性处理的改性石墨烯层组成的复合层；所述的复合层包括下层改性石墨烯层和上层石墨烯层；下层改性石墨烯层中改性石墨烯的导电类型为n型，带隙＞3eV，方阻＞10kΩsq‑1，在350～2200nm波长范围内的透光率>80％；上层石墨烯层中的石墨烯方阻＜400Ωsq‑1，透光率>96％。