[发明专利]多叉指栅极结构MOSFET的版图设计有效
| 申请号： | 201410674653.8 | 申请日： | 2014-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN104409503A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 陈静;吕凯;罗杰馨;柴展;何伟伟;黄建强;王曦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种多叉指栅极结构MOSFET的版图设计，包括半导体衬底、第一多叉指栅极结构、第二多叉指栅极结构、体接触区、源区及漏区，体接触区为第一多叉指栅极结构及第二多叉指栅极结构共用。通过采用体接触区公用的方法，可以提高体接触区利用率，降低寄生电容。相比较普通的体接触器件，其有源区的利用率高，在相同总的栅宽条件下，体接触区域面积减小了一半，可以集成度提高。因为中间体区为两侧有源区公用，金属连线所占面积降低，可以降低寄生电容。在不增加布线难度的情况下实现两侧栅极的并联，减小了栅极电阻。在不增加布线难度的情况下实现两侧漏极的并联，减小了漏极电阻。器件版图结构该设计方法在射频电路领域具有一定的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 多叉指 栅极 结构 mosfet 版图 设计 | ||
【主权项】：
一种多叉指栅极结构MOSFET的版图设计，其特征在于，包括：半导体衬底、第一多叉指栅极结构、第二多叉指栅极结构、体接触区、源区及漏区；所述第一多叉指栅极结构与所述第二多叉指栅极结构均包括：两个平行分布的第一条状栅极及多个位于所述两个第一条状栅极之间且与所述第一条状栅极垂直连接的第二条状栅极；所述第一条状栅极及第二条状栅极将所述半导体衬底隔成多个区域，所述源区及漏区交替分布于所述多个区域内；所述体接触区为多个，平行分布于所述第一多叉指栅极结构及所述第二多叉指栅极结构之间，为所述第一多叉指栅极结构及所述第二多叉指栅极结构所共用；所述第一多叉指栅极结构内的源区与所述第二多叉指栅极结构内的源区通过金属线层与所述体接触区互联。
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