[发明专利]碳化硅衬底上制备欧姆接触电极的方法有效
| 申请号： | 201410669080.X | 申请日： | 2014-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN104409341B | 公开（公告）日： | 2017-11-14 |
| 发明（设计）人： | 张永平;辛帅;戴伟忠;舒畅 | 申请（专利权）人： | 上海仪电电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/285 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201204 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及电子技术领域，具体涉及一种欧姆接触电极制作方法。碳化硅衬底上制备欧姆接触电极的方法，包括以下步骤步骤1，准备一设定掺杂浓度的碳化硅衬底；步骤2，于所述碳化硅衬底上光刻欧姆接触图形；步骤3，沉积薄膜层，以形成复合结构；步骤4，去除欧姆接触图形以外区域的薄膜层以得到欧姆接触电极。本发明可以制备出高质量的低阻欧姆接触，使得碳化硅材料大规模用于生产各种功率器件及各种新型传感器芯片成为可能。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 衬底 制备 欧姆 接触 电极 方法 | ||
【主权项】：
碳化硅衬底上制备欧姆接触电极的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，准备一设定掺杂浓度的碳化硅衬底，所述碳化硅衬底的掺杂浓度为3.2×1018cm‑3；步骤2，于所述碳化硅衬底上光刻欧姆接触图形；步骤3，沉积薄膜层，以形成复合结构；步骤4，去除所述欧姆接触图形以外区域的薄膜层以得到欧姆接触电极；还包括步骤5，于一设定温度条件下进行热处理，所述设定温度为400℃、500℃、600℃或700℃或不进行热处理。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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