[发明专利]光伏型探测器阵列及其制作方法有效
| 申请号： | 201410668714.X | 申请日： | 2014-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN104465812A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 杨翠;马京立;林宏杰;张延涛;马琳;张小雷;孟超;陈晓冬;吕衍秋;司俊杰 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/101;H01L31/18 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光伏型探测器阵列及其制作方法。该探测器阵列包括n型InSb衬底(1)和钝化层(7)，n型InSb衬底(1)上刻蚀有t×t个台面(2)，t为整数且t≥1；每个台面(2)上部均淀积有阳极(5)，n型InSb衬底(1)边缘上部淀积有“回”字形阴极(6)；所述n型InSb衬底(1)上部和每个台面(2)侧面淀积有保护层(4)，每个台面(2)正下方的n型InSb衬底(1)内设有m个相同的p型锥形掺杂区(3)，每个p型锥形掺杂区(3)均与n型InSb衬底(1)构成pn结，m为大于或等于1的整数。本发明具有工艺简单、量子效率高、串音低的优点，可用于红外侦查和红外医疗领域。 | ||
| 搜索关键词： | 光伏型 探测器 阵列 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种光伏型探测器阵列，包括n型InSb衬底(1)和钝化层(7)，n型InSb衬底(1)上刻蚀有t×t个台面(2)，t为整数且t≥1；每个台面(2)上部均淀积有阳极(5)，n型InSb衬底(1)边缘上部淀积有“回”字形阴极(6)；所述n型InSb衬底(1)上部和每个台面(2)侧面淀积有保护层(4)，其特征在于：每个台面(2)正下方的n型InSb衬底(1)内均设有m个相同的p型锥形掺杂区(3)，每个p型锥形掺杂区(3)均与n型InSb衬底(1)构成pn结，m为大于或等于1的整数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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