[发明专利]防止EEPROM被紫外线擦写的版图实现方法

摘要

本发明公开了一种防止EEPROM被紫外线擦写的版图实现方法，采用一个EEPROM存储器，可以正常进行EEPROM读写操作，采用一个M_n金属屏蔽层，将EEPROM存储器阵列区域覆盖，采用多个第一接地连接孔将M_n金属屏蔽层连接到EEPROM存储器芯片中的地信号上，采用一个M_k金属屏蔽层，将EEPROM存储器阵列区域覆盖，采用多个第二接地连接孔将M_k金属屏蔽层连接到EEPROM存储器芯片中的地信号上；其中，M_n为EEPROM存储器芯片中第n层金属，M_k为EEPROM存储器芯片中第k层金属，且k≠n。本发明可以防止通过紫外线照射方法擦除EEPROM数据。

主权项

1.一种防止EEPROM被紫外线擦写的版图实现方法，其特征在于：采用一个EEPROM存储器，该EEPROM存储器能够正常进行读写操作；采用一个Mn金属屏蔽层，将EEPROM存储器阵列区域覆盖；采用多个第一接地连接孔将Mn金属屏蔽层连接到EEPROM存储器芯片中的地信号上；采用一个Mk金属屏蔽层，将EEPROM存储器阵列区域覆盖；采用多个第二接地连接孔将Mk金属屏蔽层连接到EEPROM存储器芯片中的地信号上；其中，Mn为EEPROM存储器芯片中第n层金属，Mk为EEPROM存储器芯片中第k层金属；n和k均为正整数，且k≠n。