[发明专利]刻蚀终点检测方法在审
| 申请号： | 201410652851.4 | 申请日： | 2014-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN104392946A | 公开（公告）日： | 2015-03-04 |
| 发明（设计）人： | 罗永坚;张颂周;任昱;朱骏;吕煜坤;张旭升 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种刻蚀终点检测方法，在具有射频电源适配器的刻蚀反应腔中进行，其在刻蚀过程中采用适配器来进行终点检测，包括以下步骤：将衬底放入刻蚀反应腔中，并采用适配器的参数来监测刻蚀反应腔内的阻抗；对衬底进行刻蚀工艺；适配器的参数发生突变，停止刻蚀。本发明的刻蚀终点检测方法，通过射频电源适配器的参数变化来监测刻蚀是否达终点，从而在无需另外安装终点检测系统的条件下，利用刻蚀反应腔自身具有的射频电源适配器就可以进行有效地终点检测，简化了操作步骤，节约了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 终点 检测 方法 | ||
【主权项】：
一种刻蚀终点检测方法，在具有射频电源适配器的刻蚀反应腔中进行，其特征在于，在刻蚀过程中采用所述适配器来进行终点检测，包括以下步骤：步骤01：将衬底放入所述刻蚀反应腔中，并采用所述适配器的参数来监测所述刻蚀反应腔内的阻抗；步骤02：对所述衬底进行刻蚀工艺；步骤03：所述适配器的参数发生突变，停止刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
