[发明专利]吸收边连续可调的太阳光谱选择性吸收涂层及其制备方法

摘要

本发明涉及太阳光选择性吸收涂层领域，尤其是一种吸收边连续可调的太阳光谱选择性吸收涂层及其制备方法。所述吸收边连续可调的太阳光谱选择性吸收涂层的制备方法，包括以下步骤：基底层清洗；采用镀膜方法在基底层上制备红外反射层；采用镀膜方法在红外反射层上制备吸收层；采用镀膜方法在吸收层上制备减反层；所述的吸收层自下而上依次包括金属亚层、半导体锗亚层和以及金属氮氧化物亚层，所述金属亚层、半导体锗亚层和以及金属氮氧化物亚层均采用镀膜方法依次制备。所述吸收边连续可调的太阳光谱选择性吸收涂层是由上述制备方法制备的。本发明公开的涂层制备工艺简单、镀膜设备所需条件要求低，适用于大规模低成本生产。

主权项

1.一种吸收边连续可调的太阳光谱选择性吸收涂层，其特征在于，所述的选择性吸收涂层自下而上依次排布有红外反射层、吸收层和减反层；所述的吸收层自下而上依次包括金属亚层、半导体锗亚层和以及金属氮氧化物亚层，所述金属亚层、半导体锗亚层和以及金属氮氧化物亚层均采用镀膜方法依次制备；所述的半导体锗亚层材质为非晶态Ge，在占太阳光谱能量分布70％以上的350nm‑980nm波长范围内时折射率为3.4‑4.9，消光系数大于0.5，并且在太阳光谱能量分布最高的480nm附近消光系数较大；波长在2μm‑25μm范围内时折射率为4.1‑4.3，消光系数小于0.03；所述的Ge的厚度为0nm‑25nm；所述的金属亚层材质为Ti，在波长350nm‑1000nm范围内，折射率为1.7‑3.8，消光系数为2.5‑3.4，在850nm附近有吸收峰；所述的Ti的厚度为2‑20nm；所述的金属氮氧化物亚层为TiNxOy，在波长300nm‑435nm范围内折射率处于2.2‑2.6之间，在435‑760nm范围内折射率处于2.6‑2.38之间，760nm‑2500nm范围内折射率处于2.38‑3.7之间；在波长300nm‑520nm范围内消光系数处于1.1‑0.57之间，在波长520nm‑1120nm范围内消光系数处于0.57‑1.36之间，在波长1120nm‑2500nm范围内消光系数处于1.36‑0.91之间；所述的TiNxOy的厚度为0‑120nm；所述的红外反射层为金属铝，所述金属铝的厚度为50‑200nm；所述的涂层是通过如下步骤制备的：基底层清洗；采用镀膜方法在基底层上制备红外反射层；采用镀膜方法在红外反射层上制备吸收层；采用镀膜方法在吸收层上制备减反层。