[发明专利]制造半导体器件的方法和半导体器件

摘要

本发明公开了一种制造半导体器件的方法和半导体器件，所述方法包括步骤：形成沿着第一方向延伸的初始鳍式有源图案；形成覆盖初始鳍式有源图案的下部的器件隔离图案；形成沿着第二方向延伸并在初始鳍式有源图案上交叉的栅极结构；形成具有第一区和第二区的鳍式有源图案；利用选择性外延生长工艺在第二区上形成初始杂质掺杂图案；以及利用等离子体掺杂工艺通过注入杂质形成杂质掺杂图案，其中第一区的上表面处于第一水平，第二区的上表面处于低于第一水平的第二水平。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括步骤：通过部分地蚀刻衬底形成初始鳍式有源图案，所述初始鳍式有源图案沿着第一方向延伸；形成覆盖所述初始鳍式有源图案的下部的器件隔离图案；形成在所述初始鳍式有源图案上交叉的栅极结构，所述栅极结构沿着第二方向延伸，并且所述初始鳍式有源图案具有未被所述栅极结构覆盖的暴露的上部；通过蚀刻所述初始鳍式有源图案的暴露的上部形成具有第一区和第二区的鳍式有源图案，所述第一区位于所述栅极结构下方，所述第二区位于所述栅极结构的两侧，其中所述第一区具有侧壁表面，所述第二区具有上表面；利用等离子体掺杂工艺在所述第一区的侧壁表面和所述第二区的上表面形成杂质掺杂区；以及利用选择性外延生长工艺在所述第二区上形成杂质掺杂图案，其中所述第一区的上表面处于第一水平，所述第二区的上表面处于低于所述第一水平的第二水平。