[发明专利]一种纳米单元结构的涡旋态磁存储单元有效
| 申请号： | 201410642816.4 | 申请日： | 2014-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN104575583A | 公开（公告）日： | 2015-04-29 |
| 发明（设计）人： | 邓龙江;毕美;王昕;张丽;陆海鹏;谢建良 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 张杨 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种纳米单元结构的涡旋态磁存储单元。该涡旋态磁存储单元结构为普通圆盘形磁涡旋结构单元边缘加厚形成凹槽状的圆盘形结构，凹槽外径D的最小值为80nm,其凹槽深4-68nm，凹槽内径d大于8nm，单元整体厚度为16-136nm。本发明的优点是，通过对传统圆盘存储单元的结构设计改造，使其能在更小尺寸下保持稳定的涡旋态，且在场的调控下能完成快速极化反转，从而实现高密度磁存储。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 单元 结构 涡旋 存储 | ||
【主权项】：
一种纳米单元结构的涡旋态磁存储单元，其特征在于：在普通圆盘形磁涡旋结构单元边缘加厚形成凹槽状的圆盘形结构，凹槽外径D的最小值为80nm,其凹槽深4‑68nm，凹槽内径d大于8nm，单元整体厚度为16‑136nm。
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