[发明专利]非易失性存储装置的制造方法有效
| 申请号： | 201410641349.3 | 申请日： | 2014-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN104637883B | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 朴镇泽;朴泳雨;李载德 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/1156 | 分类号： | H01L27/1156 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 翟然 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 这里提供一种制造非易失性存储装置的方法，该方法包括：在衬底的顶表面上交替地层叠多个绝缘层和多个导电层；形成暴露所述衬底的顶表面以及所述绝缘层的侧表面和所述导电层的侧表面的开口；至少在所述导电层的暴露的侧表面上形成抗氧化层；在所述抗氧化层上形成栅极电介质层，所述栅极电介质层包括顺序形成在所述抗氧化层上的阻挡层、电荷存储层和隧穿层；以及在所述隧穿层上形成沟道区。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造非易失性存储装置的方法，包括：在衬底的顶表面上交替地层叠多个绝缘层和多个导电层；形成暴露所述衬底的所述顶表面以及所述绝缘层的侧表面和所述导电层的侧表面的开口；至少在所述导电层的暴露的侧表面上形成抗氧化层，其中所述抗氧化层由电介质材料形成；在所述抗氧化层上形成栅极电介质层，所述栅极电介质层包括顺序形成在所述抗氧化层上的阻挡层、电荷存储层和隧穿层；以及在所述隧穿层上形成沟道区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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