[发明专利]一种监测平板显示器离子注入设备的方法及其使用的治具有效
| 申请号： | 201410639950.9 | 申请日： | 2014-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN104409378A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 于锋;秦心宇;徐柯 | 申请（专利权）人： | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 朱振德 |
| 地址： | 215300 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种监测平板显示器离子注入设备的方法及其使用的治具。其中该方法包括：将生长有半导体膜层并经一次退火的条状基板安装在治具上；将安装有条状基板的治具送入离子注入设备进行注入，注入时注入设备的扫描方向垂直于条状玻璃基板的长边；对注入完成后的条状玻璃基板进行二次退火；测试条状玻璃基板的均一性和稳定性参数，得到离子注入设备的均一性和稳定性数据。本发明通过采用条状玻璃基板进行注入测试，无需测试整块玻璃基板即可得出能很好反映设备状态的测试结果，避免了使用大量wafer造成的成本浪费，且无需添置用于wafer退火的设备，同时能实际模拟到LTPS的注入效果，如激活率、氧化硅厚度等，尤其适合量产线大尺寸设备的QC监测。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 监测 平板 显示器 离子 注入 设备 方法 及其 使用 | ||
【主权项】：
一种监测平板显示器离子注入设备的方法，其特征在于，包括：将生长有半导体膜层并经一次退火的条状基板安装在治具上；将安装有条状基板的治具送入离子注入设备进行注入，注入时注入设备的扫描方向垂直于条状玻璃基板的长边；对注入完成后的条状玻璃基板进行二次退火；测试条状玻璃基板的均一性和稳定性参数，得到离子注入设备的均一性和稳定性数据。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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