[发明专利]一种超低衰减大有效面积的单模光纤

摘要

本发明涉及一种超低衰减大有效面积的单模光纤，包括有芯层和包层，所述的芯层半径r₁为4.8~6.5μm，芯层相对折射率差Δn₁为-0.06%~0.10%；芯层外从内向外依次包覆内包层，下陷内包层，辅助外包层和外包层，所述的光纤的内包层半径r₂为9~15μm，相对折射率差Δn₂为-0.40%~-0.15%；所述的下陷内包层半径r₃为12~17μm，相对折射率差Δn₃为-0.8%~-0.3；所述的辅助外包层半径r₄为37~50μm，相对折射率差Δn₄范围为-0.6%~-0.25%；所述外包层为纯二氧化硅玻璃层。本发明的截止波长、弯曲损耗、色散等综合性能参数在应用波段良好，足够小的的成缆截止波长，以保证该类光纤在C波段传输应用中光信号的单模状态，光纤剖面采用多层阶梯状下陷包层结构，具有较宽的下陷包层结构用于限制基模泄露，对光纤的弯曲损耗具有较好的改进作用。

主权项

一种超低衰减大有效面积的单模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于所述的芯层半径r₁为4.8~6.5μm，芯层相对折射率差Δn₁为‑0.06%~0.10%；芯层外从内向外依次包覆内包层，下陷内包层，辅助外包层和外包层，所述的光纤的内包层半径r₂为9~15μm，相对折射率差Δn₂为‑0.40%~ ‑0.15%；所述的下陷内包层半径r₃为12~17μm，相对折射率差Δn₃为‑0.8%~‑0.3；所述的辅助外包层半径r₄为37~50μm，相对折射率差Δn₄范围为‑0.6%~‑0.25%；所述外包层为纯二氧化硅玻璃层。