[发明专利]一种锑化钴基热电薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201410626851.7 | 申请日： | 2014-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN104388901A | 公开（公告）日： | 2015-03-04 |
| 发明（设计）人： | 范平;郑壮豪;梁广兴;张银;范卫芳;罗景庭 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/06;C23C14/54 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 518060 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种锑化钴基热电薄膜及其制备方法，其中，制备方法包括步骤：将锑化钴靶作为溅射靶材，并将需掺杂的材料单独制成掺杂靶材；将溅射靶材和掺杂靶材固定于多工位溅射系统的转靶架上待溅射；采用溅射沉积方法在绝缘衬底上镀制锑化钴薄膜层，同时在溅射过程中，将掺杂的材料分多次溅射到锑化钴薄膜层从而制备得到具有叠层结构的薄膜，最后采用原位热处理获得锑化钴基热电薄膜。本发明的方法可控性强，有利于薄膜结构的生成，薄膜具有良好的附着性和重复性，可满足大规模生产需要，并且可精准的控制溅射功率、时间等参数以及掺杂材料的掺杂量，采用多叠层的方式，便于多种元素同时进行掺杂，也减少了制备多掺杂元素靶材的繁琐工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 锑化钴基 热电 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种锑化钴基热电薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：将锑化钴靶作为溅射靶材，并将需掺杂的材料单独制成掺杂靶材；将溅射靶材和掺杂靶材固定于多工位溅射系统的转靶架上待溅射；采用溅射沉积方法在绝缘衬底上镀制锑化钴薄膜层，同时在溅射过程中，将掺杂的材料分多次溅射到锑化钴薄膜层从而制备得到具有叠层结构的薄膜；最后采用原位热处理获得锑化钴基热电薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳大学，未经深圳大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410626851.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
