[发明专利]浅沟槽隔离结构及其形成方法、半导体器件及其形成方法

摘要

一种浅沟槽隔离结构及其形成方法，和一种半导体器件及其形成方法。其中，所述半导体器件的形成方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底内形成沟槽和位于所述沟槽内的浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构包括填充部分和覆盖部分，其中，所述填充部分填充满所述沟槽，所述覆盖部分位于所述填充部分上且覆盖所述沟槽外的部分半导体衬底；在所述浅沟槽隔离结构外的半导体衬底上形成栅极结构；刻蚀所述栅极结构两侧的半导体衬底，形成凹槽；在所述凹槽内外延形成锗硅层。本发明所形成的半导体器件在浅沟槽隔离结构边缘不存在锗硅材料生长低落或者缺失的问题，半导体器件的性能佳。

主权项

一种浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成图形化的掩膜层，所述掩膜层具有第一开口；沿所述第一开口刻蚀所述半导体衬底，在所述半导体衬底内形成沟槽；回刻蚀所述掩膜层，增大所述第一开口，形成第二开口，所述第二开口大于所述沟槽的开口；在所述沟槽和所述掩膜层的第二开口内填充满氧化物；对所述氧化物进行平坦化处理。