[发明专利]一种同轴微波等离子体沉积薄膜的设备无效
| 申请号: | 201410614384.6 | 申请日: | 2014-11-04 |
| 公开(公告)号: | CN104357810A | 公开(公告)日: | 2015-02-18 |
| 发明(设计)人: | 吴爱民;林国强;陆文琪;邹瑞洵 | 申请(专利权)人: | 大连理工常州研究院有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/517 | 分类号: | C23C16/517 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 213164 江苏省常*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | 一种同轴微波等离子体沉积薄膜的设备,属于等离子技术领域,该设备包括真空腔室,真空腔室上固定安装有同轴微波等离子体源,包括微波发生器、波导、同轴线变换器、石英管和内电极,其中,石英管位于真空腔室内部且固定安装于真空腔室两侧壁上,同轴线变换器通过真空腔室外侧壁同轴对称固定安装于石英管两端,同时同轴线变换器通过波导与微波发生器相连,内电极穿过石英管并固定在同轴线变换器上,内电极、同轴线变换器、石英管三者同轴,设备中还设置了等离子体的电子密度和电子温度测试的仪器,以及功率和气压自动控制设备和系统,可以获得稳定的、可控性强的等离子体,可实现高效、稳定、均匀的沉积薄膜,该设备生产效率高,生产成本低。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 同轴 微波 等离子体 沉积 薄膜 设备 | ||
【主权项】:
一种同轴微波等离子体沉积薄膜的设备,包括真空腔室(10),其特征在于,所述真空腔室上固定安装有同轴微波等离子体源,所述同轴微波等离子体源包括微波发生器(1)、波导(2)、同轴线变换器(3)、石英管(4)和内电极(7),其中,石英管(4)位于真空腔室(10)内部且固定安装于真空腔室两侧壁上,同轴线变换器(3)通过真空腔室外侧壁同轴对称固定安装于石英管(4)两端,同时同轴线变换器(3)通过波导(2)与微波发生器(1)相连,内电极(7)穿过石英管并固定在同轴线变换器上,内电极(7)、同轴线变换器(3)、石英管(4)三者同轴,真空腔室顶部设置有进气管(6);真空腔室底部、顶部或侧部的至少一个位置上活动安装有支撑台(11),支撑台下端伸出真空腔室壁连接位置调节装置(16),位置调节装置与位置控制装置(17)相连,支撑台上可拆卸的安装有试样台(18),支撑台与试样台(18)之间设置有绝缘层(13);真空腔室侧壁上固定安装有诊断测试装置(24),等离子体探针(14)一端连接于诊断测试装置上,其另一端伸入真空腔室内部,真空腔室侧壁上还连接有真空管道(19),真空装置(22)连接于真空管道之上,真空管道上安装有阀门控制装置(20)和气压测试仪(21);反馈控制系统(25)分别与微波发生器(1)、诊断测试装置(24)、阀门控制装置(20)和气压测试仪(21)连接;所述真空腔室(10)和内电极(7)上设置有冷却水管道,且真空腔室壁上安装有腔室冷却水入口(23)和腔室冷却水出口(26),内电极(7)壁上安装有内电极冷却水入口(8)和内电极冷却水出口(27)。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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