[发明专利]用于薄膜太阳能电池的多尺度陷光结构有效
| 申请号: | 201410606718.5 | 申请日: | 2015-01-23 |
| 公开(公告)号: | CN104518037A | 公开(公告)日: | 2015-04-15 |
| 发明(设计)人: | 郭小伟;夏玮;张手强;刘志军 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
| 主分类号: | H01L31/0232 | 分类号: | H01L31/0232;H01L31/0352 |
| 代理公司: | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人: | 刘贤科 |
| 地址: | 611731 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种提升太阳能电池吸收效率的多尺度纳米陷光结构,其面型由多个有序结构组合而成,将此陷光结构集成在太阳能电池吸收材料上方来俘获光,可克服现有陷光结构吸收率不高的缺点。本发明提出的多尺度陷光结构有能力将吸收效率推进到理论极限,从而大幅提高电池转换效率。 | ||
| 搜索关键词: | 用于 薄膜 太阳能电池 尺度 结构 | ||
【主权项】:
一种用于薄膜太阳能电池的多尺度陷光结构,其特征在于,该多尺度陷光结构为电池的钝化层和吸收层的接触曲面,其面型以数学公式来描述,其中Ai,Bi是决定具体面形的参数,n决定该公式构造面形的种类,n越大,构造面形情况越多,当n取无穷大时,可模拟任意面形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





