[发明专利]一种降低铆接接触电阻的方法在审
申请号: | 201410598141.8 | 申请日: | 2014-10-31 |
公开(公告)号: | CN105632767A | 公开(公告)日: | 2016-06-01 |
发明(设计)人: | 刘秋丽 | 申请(专利权)人: | 陕西高华知本化工科技有限公司 |
主分类号: | H01G9/14 | 分类号: | H01G9/14;H01G9/008 |
代理公司: | 西安亿诺专利代理有限公司 61220 | 代理人: | 康凯 |
地址: | 710065 陕西省西安市高*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 一种降低铆接接触电阻的方法,属于电子工艺领域。首先在电极箔上进行预冲孔;将引线和电极箔送至铆接模的冲压位置;接着由铆接针同时刺穿引线舌片和电极箔,在凹模孔内形成凸出的花瓣;然后将已经完成穿刺的引线和电极箔一同挪至铆压处,通过铆压上、下模对凸出的花瓣加压、打平,完成引线与电极箔铆接。通过对铆接工艺的改进对减小引线与电极箔间的铆接接触电阻值,缩小阻值变动范围具有较大的优势。稳定了电极箔与引线间的铆接接触电阻,可以减缓铝电解电容器容量和损耗角正切值劣化,对延长电容器有效工作寿命有积极作用。本发明所述铆接工艺方法操作简单易于推广。 | ||
搜索关键词: | 一种 降低 铆接 接触 电阻 方法 | ||
【主权项】:
一种降低铆接接触电阻的方法,其特征在于包括如下步骤:(1)首先在电极箔上进行预冲孔;(2)将引线和电极箔送至铆接模的冲压位置;(3)接着由铆接针同时刺穿引线舌片和电极箔,在凹模孔内形成凸出的花瓣;(4)然后将已经完成穿刺的引线和电极箔一同挪至铆压处,通过铆压上、下模对凸出的花瓣加压、打平,完成引线与电极箔铆接。
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