[发明专利]一种聚偏氟乙烯基薄膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 201410597675.9 申请日: 2014-10-29
公开(公告)号: CN104327433A 公开(公告)日: 2015-02-04
发明(设计)人: 李义涛;程丛;汤诚;李林;杨华军;栗彦娜;许才盛 申请(专利权)人: 东莞市长安东阳光铝业研发有限公司
主分类号: C08L33/12 分类号: C08L33/12;C08L27/16;C08K13/06;C08K3/22;C08J5/18;C08J7/12
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 巩克栋;杨晞
地址: 523871 广东省东莞*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及一种聚偏氟乙烯(PVDF)基薄膜的制备方法。该薄膜成型工艺采用挤出流延拉伸法,将一定配比的PVDF、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、橡胶弹性体、二氧化钛和其他助剂填料共混,在一定的温度下熔融挤出,再经过流延牵引设备的导向拉伸作用,即可成型为PVDF基薄膜。根据本发明制备的PVDF基薄膜厚度均匀易控、阻隔性能佳、力学性能及耐环境老化性能优异,易于实现工业化;该PVDF基薄膜经改性处理后,表面粘结性显著提高,与太阳能电池封装材料之间有良好的黏附性,非常易于组装成太阳能电池背板膜,且结构紧密,在太阳能电池行业具有良好的应用前景。
搜索关键词: 一种 聚偏氟 乙烯基 薄膜 制备 方法
【主权项】:
一种聚偏氟乙烯基薄膜的制备方法,其特征是,在反应釜中加入聚偏氟乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、已溶解于有机溶剂的液体增塑剂、橡胶颗粒、二氧化钛、改性粉末填料,混合并搅拌均匀后,进行一次熔融塑化、造粒、二次熔融塑化,成型后即得聚偏氟乙烯基薄膜。
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