[发明专利]一种LED芯片的Al2O3/SiON钝化层结构及其生长方法

摘要

本发明公开了一种LED芯片的Al2O3/SiON钝化层结构，包括依次生长在衬底上的n型半导体层、发光层、p型半导体层和ITO导电层，n型半导体层制作有n型电极，ITO导电层上制作p型电极，其特征在于所述n型电极、p型电极外侧的芯片上表面依次沉积有Al2O3层和SiON层。本发明所提供的Al2O3/SiON钝化层为叠层结构，其生长方法采用两步法，第一步先使用自制的专用于生长氧化物材料的LP‑MOCVD设备生长Al2O3薄膜，这种金属有机化学沉积方法生长的材料致密性好，晶体质量高，可以很好的控制Al2O3薄膜生长速率，第二步使用PECVD设备生长SiON薄膜材料，两层结构分别发挥电极钝化和增透膜提高出光效率的作用。

主权项

一种LED芯片的Al2O3/SiON钝化层结构，包括依次生长在衬底上的n型半导体层、发光层、p型半导体层和ITO导电层，n型半导体层制作有n型电极，ITO导电层上制作p型电极，其特征在于：所述n型电极、p型电极外侧的芯片上表面依次沉积有Al2O3层和SiON层。