[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

本发明得到一种半导体装置的制造方法，其不依赖于解理刀的位置控制的精度，能够相对于解理目标位置实现高位置精度的解理。在半导体衬底(2)的第1主面形成多个电极(5)。在半导体衬底(2)的第1主面形成解理引导图案(8)，该解理引导图案(8)覆盖位于多个电极(5)之间的解理目标位置(6)。解理引导图案(8)在解理目标位置(6)处具有凹部(9)，由与半导体衬底(2)不同的材质构成。在半导体衬底(2)的与第1主面相反侧的第2主面，在与解理目标位置(6)相对的位置处形成划线槽(7)。使解理刀(4)按压抵接于形成有划线槽(7)和解理引导图案(8)的半导体衬底(2)的第1主面，将半导体衬底(2)解理。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有下述工序：在具有彼此相对的第1及第2主面的半导体衬底的所述第1主面形成多个电极的工序；在所述半导体衬底的所述第1主面形成解理引导图案的工序，其中，该解理引导图案覆盖位于所述多个电极之间的解理目标位置，在所述解理目标位置处具有凹部，该解理引导图案由与所述半导体衬底不同的材质构成；在所述半导体衬底的所述第2主面，在与所述解理目标位置相对的位置处形成划线槽的工序；以及使解理刀按压抵接于形成有所述划线槽和所述解理引导图案的所述半导体衬底的所述第1主面，将所述半导体衬底解理的工序。