[发明专利]以溅射ZnO为电子传输层的钙钛矿型太阳能电池及制备在审
申请号: | 201410587279.8 | 申请日: | 2014-10-28 |
公开(公告)号: | CN104319349A | 公开(公告)日: | 2015-01-28 |
发明(设计)人: | 梁禄生;陈伟中;王保增;蔡龙华;陈凯武;蔡耀斌;白华;田清勇;范斌 | 申请(专利权)人: | 厦门惟华光能有限公司 |
主分类号: | H01L51/46 | 分类号: | H01L51/46;H01L51/48 |
代理公司: | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 | 代理人: | 马应森 |
地址: | 361102 福建省厦门市翔*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 以溅射ZnO为电子传输层的钙钛矿型太阳能电池及制备,涉及太阳能电池。太阳能电池自下至上依次设有透明导电玻璃衬底、ZnO电子传输层、钙钛矿型材料层、空穴传输层和金属背电极层。将衬底预处理,在衬底上制备ZnO薄膜,再加热,退火,即溅射ZnO电子传输层;配制PbI2的DMF溶液,再旋涂在电子传输层上制得PbI2薄膜,然后浸入CH3NH3I的异丙醇溶液,即得钙钛矿型材料层;将2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴、二(三氟甲基磺酸酰)亚胺锂的乙腈溶液、4-叔丁基吡啶溶解在氯苯溶液中,再旋涂在钙钛矿型材料层上,制得空穴传输层,再制备金属背电极层,即得。 | ||
搜索关键词: | 溅射 zno 电子 传输 钙钛矿型 太阳能电池 制备 | ||
【主权项】:
以溅射ZnO为电子传输层的钙钛矿型太阳能电池,其特征在于设有透明导电玻璃衬底、ZnO电子传输层、钙钛矿型材料层、空穴传输层和金属背电极层,透明导电玻璃衬底、ZnO电子传输层、钙钛矿型材料层、空穴传输层和金属背电极层从下至上依次叠层;所述钙钛矿型材料层为CH3NH3PbI3层,所述空穴传输层为2,2',7,7'‑四[N,N‑二(4‑甲氧基苯基)氨基]‑9,9'‑螺二芴(spiro‑MeOTAD)空穴传输层;所述金属背电极层为Au背电极层或Ag背电极层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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