[发明专利]以溅射ZnO为电子传输层的钙钛矿型太阳能电池及制备在审

专利信息
申请号: 201410587279.8 申请日: 2014-10-28
公开(公告)号: CN104319349A 公开(公告)日: 2015-01-28
发明(设计)人: 梁禄生;陈伟中;王保增;蔡龙华;陈凯武;蔡耀斌;白华;田清勇;范斌 申请(专利权)人: 厦门惟华光能有限公司
主分类号: H01L51/46 分类号: H01L51/46;H01L51/48
代理公司: 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 代理人: 马应森
地址: 361102 福建省厦门市翔*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 以溅射ZnO为电子传输层的钙钛矿型太阳能电池及制备,涉及太阳能电池。太阳能电池自下至上依次设有透明导电玻璃衬底、ZnO电子传输层、钙钛矿型材料层、空穴传输层和金属背电极层。将衬底预处理,在衬底上制备ZnO薄膜,再加热,退火,即溅射ZnO电子传输层;配制PbI2的DMF溶液,再旋涂在电子传输层上制得PbI2薄膜,然后浸入CH3NH3I的异丙醇溶液,即得钙钛矿型材料层;将2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴、二(三氟甲基磺酸酰)亚胺锂的乙腈溶液、4-叔丁基吡啶溶解在氯苯溶液中,再旋涂在钙钛矿型材料层上,制得空穴传输层,再制备金属背电极层,即得。
搜索关键词: 溅射 zno 电子 传输 钙钛矿型 太阳能电池 制备
【主权项】:
以溅射ZnO为电子传输层的钙钛矿型太阳能电池,其特征在于设有透明导电玻璃衬底、ZnO电子传输层、钙钛矿型材料层、空穴传输层和金属背电极层,透明导电玻璃衬底、ZnO电子传输层、钙钛矿型材料层、空穴传输层和金属背电极层从下至上依次叠层;所述钙钛矿型材料层为CH3NH3PbI3层,所述空穴传输层为2,2',7,7'‑四[N,N‑二(4‑甲氧基苯基)氨基]‑9,9'‑螺二芴(spiro‑MeOTAD)空穴传输层;所述金属背电极层为Au背电极层或Ag背电极层。
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