[发明专利]超导石墨基盘在审
| 申请号： | 201410585022.9 | 申请日： | 2014-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN104409388A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 陈奕宏 | 申请（专利权）人： | 磐石创新（湖南）新材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 410013 湖南省长沙市长沙高新开*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 超导石墨基盘，上石墨基盘与下石墨基盘的接触面边缘处紧密连接，二者连接处中间形成一个容置腔室，超导材料层置于容置腔室内，上石墨基盘与下石墨基盘的整体外部涂有碳化硅层。本产品结构完善，安全可靠。本产品实现的多层均热作用与传统单层石墨均热区别在于中间的超导材料层，超导材料热导率≥14MW/m•℃，远远大于石墨的极限值1500W/m-K，热阻在超导材料层的面积里可以为零，可以实现上石墨基盘的表面温差优于±0.1℃，甚至达到0温差。极大促进设备性能提升，LED产品波长一致性与发光效率得到显著提升。 | ||
| 搜索关键词： | 超导 石墨 | ||
【主权项】：
超导石墨基盘，包括上石墨基盘（1）、下石墨基盘（2）、超导材料层（3）、碳化硅层（4），其特征在于：上石墨基盘（1）与下石墨基盘（2）的接触面边缘处紧密连接，二者连接处中间形成一个容置腔室，超导材料层（3）置于容置腔室内，上石墨基盘（1）与下石墨基盘（2）的整体外部涂有碳化硅层（4）。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
