[发明专利]有机发光二极管显示器的制备工艺在审
| 申请号: | 201410579428.6 | 申请日: | 2014-10-24 |
| 公开(公告)号: | CN106159111A | 公开(公告)日: | 2016-11-23 |
| 发明(设计)人: | 赵兵兵 | 申请(专利权)人: | 西安烨森电子科技有限责任公司 |
| 主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 710075 陕西省西安市*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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| 摘要: | 有机发光二极管显示器的制备工艺,包括以下步骤:(1)准备基底,在基底上限定有多个像素;(2)在基底构件上形成多个像素电极;在基底构件上形成像素限定层,(3)在每个像素处形成薄膜晶体管;形成阴极,使得阴极电连接到薄膜晶体管;在阴极上形成有机发光层;(4)在有机发光层上形成阳极,阳极包括位于有机发射层上的辅助层、位于辅助层上的导电层和位于导电层上的绝缘层。本发明可通过抑制外部光反射而改善显示特性,同时具有工艺简单,生产生本低等优点。 | ||
| 搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示器 制备 工艺 | ||
【主权项】:
有机发光二极管显示器的制备工艺,其特征在于,包括以下步骤:(1)准备基底,在基底上限定有多个像素;(2)在基底构件上形成多个像素电极;在基底构件上形成像素限定层;(3)在每个像素处形成薄膜晶体管;形成阴极,使得阴极电连接到薄膜晶体管;在阴极上形成有机发光层;(4)在有机发光层上形成阳极,阳极包括位于有机发射层上的辅助层、位于辅助层上的导电层和位于导电层上的绝缘层。
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H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
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