[发明专利]一种半导体器件的背面结构

摘要

本发明公开了一种半导体器件的背面结构，器件的背面包括以下特征：半导体背面至少有三种不同掺杂浓度的区域与背面金属相接触，这三种不同掺杂浓度的区域是：低掺杂浓度区，P+区和N+区。其中低掺杂浓度区的掺杂浓度范围为5×10¹⁴/cm³至1×10¹⁸/cm³，P+区的浓度范围为5×10¹⁸/cm³至1×10²⁰/cm³，N+区的掺杂浓度范围为5×10¹⁸/cm³至1×10²⁰/cm³，与半导体背面接触为金属电极。

主权项

1.一种半导体器件的背面结构至少包括以下部分：(1)在靠近半导体背面至少有一独立的P+区(13)，宽度大于20um，这P+区(13)的一边与背面金属相连接形成欧姆接触，另一边被N型缓冲层(10)包围，这P+区(13)的掺杂浓度范围为5×10¹⁸/cm³至1×10²⁰/cm³；(2)在靠近半导体背面至少有一独立的N+区(14)，宽度大于20um，这N+区(14)的一边与背面金属相连接形成欧姆接触，另一边有部份被较低掺杂N型缓冲层(10)包围，这N+区(14)的掺杂浓度范围为5×10¹⁸/cm³至1×10²⁰/cm³；(3)半导体背面有三种不同的掺杂区与背面金属接触，这三种不同的掺杂区是P+区(13)，N+区(14)和N型基区(9)；(4)背面金属与半导体背面相连接形成背面电极，其中背面金属与P+区(13)形成欧姆接触，其中背面金属与N+区(14)形成欧姆接触，与N型基区(9)形成非欧姆接触。