[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示装置有效
申请号: | 201410566635.8 | 申请日: | 2014-10-22 |
公开(公告)号: | CN104282696B | 公开(公告)日: | 2018-07-13 |
发明(设计)人: | 谢振宇 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;黄灿 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种阵列基板及其制作方法、显示装置,通过在阵列基板的基板之上,依次设置有源层、栅绝缘层以及栅电极层,所述有源层在水平方向上依次设置有第一重掺杂区、第一低掺杂区、第一非掺杂区、第二低掺杂区、第二非掺杂区、第三低掺杂区、第二重掺杂区。从而可在确保开口率的前提下,有效降低低温多晶硅薄膜晶体管的热量产生以及有效抑制多晶硅薄膜晶体管的漏电流。 | ||
搜索关键词: | 低掺杂区 阵列基板 非掺杂区 显示装置 依次设置 重掺杂区 源层 低温多晶硅薄膜晶体管 多晶硅薄膜晶体管 热量产生 有效抑制 栅电极层 栅绝缘层 开口率 漏电流 基板 制作 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:基板之上依次设置的有源层、栅绝缘层以及栅电极层,其中,所述有源层在水平方向上依次设置有第一重掺杂区、第一低掺杂区、第一非掺杂区、第二低掺杂区、第二非掺杂区、第三低掺杂区、第二重掺杂区;所述栅电极层的图案在阵列基板上的投影区域,覆盖于所述第一低掺杂区、第一非掺杂区、第二低掺杂区、第二非掺杂区、第三低掺杂区在阵列基板上的投影区域,不覆盖所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区在阵列基板上的投影区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的