[发明专利]一种LED倒装芯片及其制作方法

摘要

本申请公开了一种LED倒装芯片，自下而上依次包括蓝宝石衬底、外延层、导电反射层、金属保护层、Vias、SiO2绝缘层和金属电极，其中，所述蓝宝石衬底为感应耦合等离子刻蚀后得到的背面图形化的蓝宝石衬底；所述蓝宝石衬底背面还设有增透膜，该增透膜为通过蒸镀方法制作的二氧化硅层和二氧化钛层交替排列的增透膜，该增透膜中二氧化硅层和二氧化钛层的层数共计为6层至15层的数量之间的层数，所述增透膜中二氧化硅层和二氧化钛层的厚度为20至300nm之间的数值。本发明还提供一种LED倒装芯片制作方法。本发明提供的LED倒装芯片，利用图形化蓝宝石衬底技术提高了LED倒装芯片底部的光的发射角度，增加了光的出射几率，提高了亮度，白光亮度提升1％‑7％。

主权项

一种LED倒装芯片制作方法，包括：在蓝宝石衬底上通过MOCVD生长外延层；在外延层上制作导电反射层，所述导电反射层，为金属银或金属铝的导电反射层；在导电反射层上面制作金属保护层，所述金属保护层，为Ti/W或W/Pt的金属保护层；制作直通到N型GaN的Vias；在金属保护层表面制作SiO2绝缘层；SiO2绝缘层开孔，露出N型GaN和P型GaN；通过真空镀膜方法蒸镀金属，制作N电极和P电极；将蓝宝石研磨减薄；切割裂片成独立的芯粒；将芯粒焊接在支架上，其特征在于，在蓝宝石衬底上通过MOCVD生长外延层，具体为在蓝宝石衬底的正面上通过MOCVD技术生长外延层用以制作外延片，所述外延片为氮化镓基外延片；制作直通到N型GaN的Vias，Vias为通孔，具体为将芯片局部区域的部分外延层用感应耦合等离子方法去除，露出N型GaN；在金属保护层表面制作SiO2绝缘层，具体为通过PECVD方法沉积SiO2钝化膜，再经过光刻腐蚀过程，刻蚀掉金属焊盘上的钝化材质，露出焊盘；在所述将蓝宝石研磨减薄与切割裂片成独立的芯粒之间还包括以下步骤：用感应耦合等离子刻蚀方法对蓝宝石的背面进行干法刻蚀，形成朝正面方向凹陷的图形，使得蓝宝石背面图形化；将芯片正面用正性光刻胶进行保护，将蓝宝石背面图形化后残留的杂质清洗干净；用去胶液将正性光刻胶去除；在图形化的蓝宝石背面用蒸镀的方法制作二氧化硅层和二氧化钛层交替排列的增透膜，该增透膜中二氧化硅层和二氧化钛层的层数共计为6层至15层的数量之间的层数，该增透膜中二氧化硅层和二氧化钛层的厚度为20至300nm之间的数值。