[发明专利]一种激光辅助低温生长氮化物材料的方法与装备

摘要

本发明公开了一种激光辅助低温生长氮化物材料的方法及装备，该方法将非氮元素的前驱体蒸汽和活性氮源前驱体气体分别输送到反应腔室内温度为250至800℃的衬底材料处，利用波长与活性氮源分子键共振波长相等的激光束作用于活性氮源气体，使激光能量直接耦合至活性氮源气体分子，加速NH键的断裂，提供充足的活性氮源，使非氮元素与活性氮源发生化学反应，沉积第III族氮化物膜层材料，持续作用直到沉积物覆盖整个衬底并达到所需厚度。装备包括真空反应腔、气体预混合腔、波长可调谐激光器和移动机构。本发明在提高活性氮源利用率和减少环境污染的基础上，实现低温环境下氮化物膜层材料的大面积、快速和高质量生长。

主权项

一种激光辅助低温生长氮化物材料的方法，将由惰性运载气体运载的非氮元素的前驱体蒸汽和活性氮源前驱体气体分别输送到反应腔室内温度为250℃至800℃的衬底材料处，利用波长与活性氮源分子键共振波长相等的激光束作用于活性氮源气体，使激光能量直接耦合至活性氮源分子NH键，加速NH键的断裂，提供充足的活性氮源，从而使非氮元素与活性氮源发生化学反应，沉积第III族氮化物膜层材料，持续作用直到沉积物达到所需厚度。