[发明专利]一种分布布拉格反射器半导体激光器光栅制备工艺有效
| 申请号： | 201410560897.3 | 申请日： | 2014-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN105591281B | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 李辉;都继瑶;曲轶;郭海侠;石宝华;高峰 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | H01S5/125 | 分类号： | H01S5/125 |
| 代理公司： | 11465 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 李冉<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 130022 *** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 高功率1064nm分布布拉格反射器半导体激光器(DBR‑LD)属于半导体光电子器件领域，常规的半导体激光器输出功率易受环境温度影响。另外,分布反馈布拉格半导体激光器(DFB‑LD)需要二次外延生长，相比于DBR‑LD工艺过程复杂,影响了DFB‑LD在代替1064nm固体激光器和作为通信种子源方面的应用。本发明之一种分布布拉格反射器半导体激光器光栅的制备工艺，通过在传统半导体激光器外延片P面有源区旁侧，经过全息光刻、干法刻蚀等工艺制作一阶布拉格光栅。有效地解决了DFB‑LD需二次外延，输出功率易受环境温度影响等问题，对促进分布布拉格反射器半导体激光器的发展具有重要意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 分布 布拉格 反射 半导体激光器 光栅 制备 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种分布布拉格反射器半导体激光器光栅的制备工艺，其特征在于，包含以下部分：/n1)利用全息光刻制备周期为163nm的一阶布拉格光栅，该光栅位于DBR半导体激光器有源区旁侧；全息光刻采用波长325nm的氦镉气体激光器，作为激光干涉的光源，利用全息光刻平台进行光刻；全息光刻的光刻胶采用稀释80％的AZ-5214胶，匀胶最高转速为5000转/秒，在坚膜过程中坚膜温度120℃时间为4.5分钟，曝光时间为4s；/n2)对光栅刻蚀过程中采用的ICP干法刻蚀技术进行优化，对刻蚀的材料、RF的功率和气体流量速率重新设定，使刻蚀结果更趋近于理想情况；ICP干法刻蚀采用的腐蚀气体与保护气体分别为四氯化碳与氢气、氩气，其中四氯化碳流量为2ml/min，氩气流量为3ml/min，氢气1ml/min，样品室压力为0.4Pa，RF1和RF2的功率分别为120W和500W；/n3)最终刻蚀出长度1mm、宽4μm、深度为1.5μm的一阶布拉格光栅。/n
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