[发明专利]一种锡酸镉靶材及其制备方法

摘要

本发明涉及一种锡酸镉靶材及其制备方法，属于陶瓷靶材技术领域。该锡酸镉靶材的组成为Cd2SnO4和CdSnO3，其中Cd2SnO4的含量大于95w％。本发明以SnO2粉和CdO粉为原料粉制成的Cd2SnO4单相粉体为原料，采用热压烧结工艺，不添加任何添加剂，并且在热压工艺中采用两段式温度，进行低温真空烧结，高温氩气保护烧结，制得致密的锡酸镉陶瓷靶材。该靶材中Cd2SnO4含量大于95w％，相对密度达到80～95％，电阻率达到1～6×10‑4Ω·cm。 1

主权项

1.一种锡酸镉靶材的制备方法，其特征在于：该靶材的组成为Cd₂SnO₄和CdSnO₃，其中Cd₂SnO₄的含量大于95w％，其制备方法包括如下步骤：

(1)称量纯度≥99w％的SnO₂粉和纯度≥99w％的CdO粉，SnO₂粉与CdO粉的摩尔比为：SnO₂:CdO＝1:1.5～1:2.5，混合；

(2)将混合原料放置于球磨罐中，球磨均匀后，煅烧，得到Cd₂SnO₄单相粉体；

(3)将得到的锡酸镉原料粉体，装入石墨模具中，将石墨模具放置于热压炉内，抽真空后开始升温，温度达到500～800℃时，保温30min～50min，保持体系真空度在100Pa，不加压；

(4)随后进行再次升温，在升温过程中，充氩气，并不断加压，当温度升至900～1100℃，压力达到10～30MPa时，开始保温保压，保温保压1～2小时后，关闭加热电源，开始降温；等温度降至700～900℃，逐渐缓慢泄压，至常压；

(5)等热压炉完全冷却后，得到锡酸镉靶材坯料；

(6)将所述靶材坯料进行机械加工、清洗、烘干，得到锡酸镉靶材。

2.根据权利要求1所述的锡酸镉靶材的制备方法，其特征在于：所述的球磨时间为1～3小时，所述的煅烧的温度为900～1100℃。

3.根据权利要求1所述的锡酸镉靶材的制备方法，其特征在于：抽真空到1×10^‑1Pa以下。

4.根据权利要求1所述的锡酸镉靶材的制备方法，其特征在于：所述的机械加工为磨削；所述的清洗为将靶材放入纯净水中进行超声清洗1～2小时；洗净后将靶材放入鼓风干燥箱中烘干，最后得到镀膜用的靶材。

5.根据权利要求1所述的锡酸镉靶材的制备方法，其特征在于：所述的锡酸镉靶材Cd₂SnO₄含量大于95w％，相对密度为80％‑95％，电阻率为1～6×10^‑4Ω·cm。

6.根据权利要求1‑5中任一项所述的方法制备得到的锡酸镉靶材。