[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410557919.0 | 申请日： | 2014-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN104638006B | 公开（公告）日： | 2020-05-26 |
| 发明（设计）人： | 池熺奂;金兑昊 | 申请（专利权）人： | 美格纳半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 尹淑梅;韩芳 |
| 地址： | 韩国忠清*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种半导体器件和一种制造半导体器件的方法，所述半导体器件包括：基板，包括阱区；具有栅极长度的栅电极，设置在阱区上；第一漂移区和第二漂移区，与栅电极叠置。第一漂移区和第二漂移区可以与栅电极叠置为作为栅极长度的百分比的叠置长度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，所述半导体器件包括：基板，包括阱区；具有栅极长度的栅电极，设置在阱区上；第一漂移区，与栅电极叠置叠置长度；以及第二漂移区，与栅电极叠置叠置长度。
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