[发明专利]一种低成本大功率半导体基横模激光器芯片结构有效
| 申请号： | 201410555782.5 | 申请日： | 2014-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN104269739B | 公开（公告）日： | 2017-03-22 |
| 发明（设计）人： | 刘刚明;张靖;邓光华;段利华;周勇 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
| 主分类号： | H01S5/24 | 分类号： | H01S5/24 |
| 代理公司： | 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙)11316 | 代理人： | 刘佳 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;85 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种低成本大功率半导体基横模激光器芯片结构，包括振荡部分、过渡部分、放大部分和底面沟槽，所述过渡部分将所述振荡部分和放大部分连接并融合在一起，所述底面沟槽分别位于所述振荡部分、过渡部分和放大部分的两侧，且所述振荡部分、过渡部分和放大部分两侧的底面沟槽深度不同。本发明巧妙地通过过渡部分将所述振荡部分和放大部分连接并融合在一起，依靠所述振荡部分、过渡部分和放大部分两侧深度不同的底面沟槽防止形成非预期的反射破坏基横模输出，为一种基于常规脊波导的芯片结构，因而只需采用普通的脊波导工艺就能实现大功率半导体基横模激光输出芯片的制作，产品制作工艺简单成熟，成品率高，成本低，适用于批量生产制作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低成本 大功率 半导体 基横模 激光器 芯片 结构 | ||
【主权项】：
一种低成本大功率半导体基横模激光器芯片结构，其特征在于，包括振荡部分、过渡部分、放大部分和底面沟槽，所述过渡部分将所述振荡部分和放大部分连接并融合在一起，所述底面沟槽分别位于所述振荡部分、过渡部分和放大部分的两侧，且所述振荡部分、过渡部分和放大部分两侧的底面沟槽深度不同；所述过渡部分两侧的底面沟槽为在水平和垂直方向均具有倾斜角度的倾斜沟槽。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第四十四研究所，未经中国电子科技集团公司第四十四研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410555782.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种电力安全隔离开关
- 下一篇：一种用于汽车ABS控制系统的分装模块
