[发明专利]用于芯片封装相互作用的评估的测试电路和测试器件有效
| 申请号： | 201410554698.1 | 申请日： | 2014-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN105513987B | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 甘正浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种用于芯片封装相互作用的评估的测试电路和测试器件。所述测试电路包括：芯片封装相互作用传感器，所述芯片封装相互作用传感器连接在第一焊盘和第二焊盘之间；以及静电放电保护器件，所述静电放电保护器件与所述芯片封装相互作用传感器并联连接在所述第一焊盘和所述第二焊盘之间。本发明所提供的用于芯片封装相互作用的评估的测试电路结构简单，易于实现，并且通过该测试电路，可以在芯片封装相互作用的评估中保护芯片封装相互作用传感器不受静电放电事件的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片封装 测试电路 焊盘 静电放电保护器件 测试器件 评估 传感器 测试电路结构 静电放电事件 传感器并联 传感器连接 保护芯片 封装 | ||
【主权项】：
1.一种用于芯片封装相互作用的评估的测试电路，其特征在于，所述测试电路包括：芯片封装相互作用传感器，所述芯片封装相互作用传感器连接在第一焊盘和第二焊盘之间；以及静电放电保护器件，所述静电放电保护器件与所述芯片封装相互作用传感器并联连接在所述第一焊盘和所述第二焊盘之间，当所述第一焊盘和所述第二焊盘之间发生静电放电事件时，电流流过所述静电放电保护器件而不流经所述芯片封装相互作用传感器，以在芯片封装相互作用的评估中保护所述芯片封装相互作用传感器不受到损害。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410554698.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
