[发明专利]半导体器件的形成方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的形成方法，包括提供第一晶圆和第二晶圆，并使第一晶圆和第二晶圆键合连接；对第二晶圆进行去边处理，以去除第二晶圆周边的圆弧形曲面结构；之后对第二晶圆的背面进行第一研磨处理，以去除部分厚度的第二晶圆；在经第一研磨处理后的第二晶圆的背面上固定第三晶圆。在第二晶圆进行去边处理，去除第二晶圆侧壁上的圆弧形曲面结构后，可在对第二晶圆的背面进行第一研磨处理过程中，避免第二晶圆的边缘处为悬空结构，进而解决由于第二晶圆边缘为悬空结构而造成第二晶圆在研磨受压时致使第二晶圆边缘出现碎裂的问题，以提高第二晶圆研磨后质量，以及后续形成的半导体器件的性能以及成品率。

主权项

一种半导体器件的形成方法，其特征在于，提供第一晶圆，所述第一晶圆包括键合面，以及与所述键合面相对的背面，所述第一晶圆的键合面上形成有第一凹槽，第一晶圆还包括位于键合面和背面之间侧壁，所述第一晶圆的侧壁为圆弧形曲面结构；提供第二晶圆，所述第一晶圆包括键合面、与键合面相对的背面，以及键合面和背面之间侧壁，所述第二晶圆的侧壁为圆弧形曲面结构；将所述第一晶圆和第二晶圆的键合面键合连接，第二晶圆覆盖所述第一凹槽；对所述第二晶圆进行去边处理，以去除所述第二晶圆侧壁的圆弧形曲面结构；对所述第二晶圆的背面进行第一研磨处理，以去除部分厚度的所述第二晶圆；提供第三晶圆，所述第三晶圆包括键合面，以及与所述键合面相对的背面；将所述第三晶圆键合面与经第一研磨处理后的第二晶圆的背面固定连接；其中，在将所述第三晶圆键合面与经第一研磨处理后的第二晶圆的背面固定连接的步骤前，所述半导体器件的形成方法还包括步骤：对所述第一晶圆的边缘进行第二切割处理，去除所述第一晶圆的键合面边缘部分厚度的圆弧形曲面结构，且被去除的第一晶圆的厚度大于所述第一凹槽的深度；在将所述第三晶圆键合面与经第一研磨处理后的第二晶圆的背面固定连接的步骤后，所述半导体器件的形成方法还包括步骤：对所述第一晶圆的背面进行第二研磨处理，以去除部分厚度的所述第一晶圆。