[发明专利]强电介质薄膜形成用组合物、强电介质薄膜的形成方法及通过该方法形成的强电介质薄膜

摘要

用于形成选自PLZT、PZT及PT的1种强电介质薄膜的本发明的强电介质薄膜形成用组合物，是用于形成采取复合金属氧化物形态的薄膜的液态组合物，所述复合金属氧化物是在通式(1)(PbxLay)(ZrzTi(1‑z))O3表示的复合金属氧化物A中混合通式(2)CnH2n+1COOH表示的、并且、配位在上述金属上时能够形成下式(3)的结构的、羧酸B得到的，式(1)中0.9<x<1.3、0≤y<0.1、0≤z<0.9，其中，3≤n≤7，包含用于构成上述复合金属氧化物A的原料及上述羧酸B以羧酸B和复合金属氧化物A的摩尔比B/A为0<B/A<0.2的范围内地溶解在有机溶剂中的有机金属化合物溶液。

主权项

一种强电介质薄膜形成用组合物，是用于形成选自PLZT、PZT及PT的1种强电介质薄膜的强电介质薄膜形成用组合物，其特征在于，是用于形成采取复合金属氧化物形态的薄膜的液态组合物，所述复合金属氧化物是在通式(1):(PbxLay)(ZrzTi(1‑z))O3表示的复合金属氧化物A中混合通式(2)CnH2n+1COOH表示的、并且、配位在上述金属上时能够形成下式(3)的结构的、羧酸B得到的，式(1)中0.9<x<1.3、0≤y<0.1、0≤z<0.9，式（2）中，3≤n≤7，包含用于构成上述复合金属氧化物A的原料及上述羧酸B以羧酸B和复合金属氧化物A的摩尔比B/A为0.001≤B/A≤0.1的范围内地溶解在有机溶剂中的有机金属化合物溶液，[化1]其中，式(3)中，在满足上述通式(2)CnH2n+1COOH的n的范围内，R1、R2、R3、R4、R5、R6表示氢、甲基或乙基，M表示Pb、La、Zr或Ti，m表示M的价数。