[发明专利]一种IO接口电平转换电路及IO接口电平转换方法有效
| 申请号： | 201410549552.8 | 申请日： | 2014-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN105577165B | 公开（公告）日： | 2019-03-12 |
| 发明（设计）人： | 崔海良 | 申请（专利权）人： | 深圳市中兴微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 蒋雅洁;张颖玲 |
| 地址： | 518085 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种IO接口电平转换电路，包括：中间电平产生电路、电平转换电路，其中，所述中间电平产生电路，用于提供IO接口的中间电平Vdd_io；所述电平转换电路，用于根据IO接口的中间电平Vdd_io，将外部逻辑信号转换为芯片内部电源域的信号。本发明还提供了一种IO接口电平转换方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 io 接口 电平 转换 电路 方法 | ||
【主权项】：
1.一种IO接口电平转换电路，其特征在于，包括：中间电平产生电路、电平转换电路，其中，所述中间电平产生电路，用于提供IO接口的中间电平Vdd_io；所述电平转换电路，用于根据IO接口的中间电平Vdd_io，将外部逻辑信号转换为芯片内部电源域的信号；所述中间电平产生电路包括：中间电平产生单元，所述中间电平产生单元包括PM0、NM0、NM1、NM3、NM4；其中，所述PM0、NM0、NM1、NM3、NM4以二极管形式进行连接，用于使输出的IO接口的中间电平Vdd_io为NM0的栅源电压和PM0的栅源电压之和；所述NM0、NM1、NM3、NM4为NMOS管，所述PM0为PMOS管；或者，所述NM0、NM1为NMOS管，所述PM0为PMOS管，所述NM3、NM4为耐高压的DEMOS管。
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