[发明专利]一种高压VDMOS器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201410549457.8 | 申请日： | 2014-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN105575813A | 公开（公告）日： | 2016-05-11 |
| 发明（设计）人： | 蔡远飞;何昌;姜春亮 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高压VDMOS器件及其制作方法。该高压VDMOS器件的栅极制作方法包括：在所述高压VDMOS器件的晶元正面制作沟槽；在形成沟槽的所述晶元正面制作栅极氧化层；在形成栅极氧化层的所述晶元正面制作栅极，其中，制作栅极的掩膜窗口与所述沟槽对准，且所述制作栅极的掩膜窗口的宽度大于所述沟槽的开口宽度。通过上述工艺过程，使得栅极填入沟槽中。在栅极有效长度不变的情况下，减小了栅极的横向宽度，从而实现在相同的芯片面积条件下提高元胞集成度，或者在相同的电流处理能力条件下缩小芯片面积。另外，由于栅极的有效长度没有缩减，不会对其他电参数的性能产生太大影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 vdmos 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种高压VDMOS器件的制作方法，其特征在于，所述高压VDMOS器件的栅极制作包括以下步骤：在所述高压VDMOS器件的晶元正面制作沟槽；在形成沟槽的所述晶元正面制作栅极氧化层；在形成栅极氧化层的所述晶元正面制作栅极，其中，制作栅极的掩膜窗口与所述沟槽对准，且所述制作栅极的掩膜窗口的宽度大于所述沟槽的开口宽度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
