[发明专利]一种(NH4)2V4O9薄膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201410546405.5 申请日: 2014-10-15
公开(公告)号: CN104310477A 公开(公告)日: 2015-01-28
发明(设计)人: 杨雪梅;邓建国;刘忠平;纪兰香;白小峰;马春彦 申请(专利权)人: 中国工程物理研究院化工材料研究所
主分类号: C01G31/00 分类号: C01G31/00;C03C17/22;C23C18/16
代理公司: 四川省成都市天策商标专利事务所 51213 代理人: 伍孝慈
地址: 621000 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种(NH4)2V4O9薄膜及其制备方法,该方法采用一步水热法,在特定的密闭的反应器中,采用水溶液作为反应体系,通过对反应体系加热而产生高压,从而实现直接在不同基底上制备形貌、膜厚可控的(NH4)2V4O9薄膜。本发明填补了(NH4)2V4O9薄膜制备的空白,且本发明的制备方法操作简单、可控性强、重复性好。本发明制备得到的(NH4)2V4O9薄膜在电化学、光学领域中具有巨大的应用潜力。
搜索关键词: 一种 nh sub 薄膜 及其 制备 方法
【主权项】:
一种(NH4)2V4O9薄膜的制备方法,其特征在于该方法包括以下步骤:A,前驱体溶液的制备将还原剂和去离子水按物质的量之比6~9:22000~33000加入反应容器中后,超声10~30min,然后按含钒化合物与还原剂的物质的量之比7~23:1向反应容器中加入含钒化合物,接着搅拌10~30min;最后,按导向剂与还原剂的物质的量之比450~1050:6~9向反应容器中滴加导向剂,搅拌10~60min,得到前驱体溶液;B,(NH4)2V4O9薄膜的制备取干净的基底和步骤A得到的前驱体溶液,放入反应釜中,然后密封反应釜、静止一段时间,接着将密封的反应釜置入烘箱中加热至140~240℃,恒温反应6~50h后,自然冷却,取出基底并用洗涤溶液洗涤,在温度为60~80℃的条件下干燥4~10h,得到所述的(NH4)2V4O9薄膜。
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