[发明专利]压力传感器形成方法有效
| 申请号： | 201410545227.4 | 申请日： | 2014-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN105571749B | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 郭亮良;郑超;刘国安;刘煊杰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/22 | 分类号： | G01L1/22;G01L9/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 应战;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种压力传感器形成方法，包括：提供第一半导体衬底；形成覆盖所述第一半导体衬底表面的绝缘层和覆盖所述绝缘层表面的衬底层；形成覆盖所述衬底层表面的器件层，所述器件层内形成有压阻结构；形成覆盖所述器件层的介质层；形成覆盖所述介质层表面的保护层，所述保护层内形成有连接区；形成贯穿所述保护层和介质层的第一沟槽，所述第一沟槽暴露出压阻结构部分表面；提供具有连接表面的第二半导体衬底，所述连接表面形成有第二沟槽；键合连接所述连接区和连接表面，形成空腔；去除第一半导体衬底，暴露出绝缘层。所述方法能够降低压力传感器的生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 压力传感器 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种压力传感器形成方法，其特征在于，包括：提供第一半导体衬底；形成覆盖所述第一半导体衬底表面的绝缘层和覆盖所述绝缘层表面的衬底层；形成覆盖所述衬底层表面的器件层，所述器件层内形成有压阻结构；形成覆盖所述器件层的介质层；形成覆盖所述介质层表面的保护层，所述保护层内形成有连接区，所述连接区顶面与保护层表面齐平，且连接区在器件层上的投影位于压阻结构周边位置；形成贯穿所述保护层和介质层的第一沟槽，所述第一沟槽暴露出压阻结构部分表面；提供具有连接表面的第二半导体衬底，所述连接表面形成有第二沟槽，所述第二沟槽位置与第一沟槽位置对应；键合连接所述连接区和连接表面，形成空腔；去除第一半导体衬底，暴露出绝缘层。
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