[发明专利]三维非易失性存储器件、半导体系统及其制造方法

摘要

一种三维非易失性存储器件包括：从衬底延伸的第一垂直沟道层和第二垂直沟道层；沿着第一垂直沟道层和第二垂直沟道层与彼此间隔开的多个存储单元、第一选择晶体管和第二选择晶体管；在第一垂直沟道层之上采用层叠配置的焊盘、接触插塞和位线；以及形成在第二垂直沟道层之上的公共源极线。

主权项

1.一种三维非易失性存储器件，包括：层叠在衬底之上的多个字线；垂直地穿过所述字线的第一垂直孔和第二垂直孔；形成在所述第一垂直孔中的第一垂直沟道层；第一间隙填充绝缘层，所述第一间隙填充绝缘层在第一垂直孔中由第一垂直沟道层包围；第一掺杂多晶硅层，所述第一掺杂多晶硅层在第一垂直孔中形成于第一间隙填充绝缘层的上方；形成在所述第二垂直孔中的第二垂直沟道层，其中，所述第二垂直孔通过管道沟道层与第一垂直孔电耦接；第二间隙填充绝缘层，所述第二间隙填充绝缘层在第二垂直孔中由第二垂直沟道层包围；第二掺杂多晶硅层，所述第二掺杂多晶硅层在第二垂直孔中形成于第二间隙填充绝缘层的上方；围绕位于所述第一垂直孔和第二垂直孔的每一个中的所述第一垂直沟道层和第二垂直沟道层的隧道绝缘层、电荷陷阱层和电荷阻挡层；在所述第一垂直沟道层和第一掺杂多晶硅层之上采用层叠配置的焊盘、接触插塞和位线，其中所述焊盘、接触插塞与第一垂直沟道层和第一掺杂多晶硅层垂直地对齐，而所述焊盘的宽度大于第一垂直孔的宽度和接触插塞的宽度；以及形成在所述第二垂直沟道层之上的公共源极线。