[发明专利]一种微机电系统复合牺牲层的处理方法

摘要

一种微机电系统复合牺牲层的处理方法，属于电子工艺领域。包括如下步骤：（1）首先在硅片表面旋涂一层聚酰亚胺，在涂覆之前把电镀号传输线结构的硅片烘干；接着滴几滴聚酰亚胺在硅片的中央；在涂完聚酰亚胺，把聚酰亚胺放在密封的盒子里使其自然流平；（2）将步骤（1）所得硅片在80℃的温度下烘烤30min，然后在110℃的温度下烘烤1h进行预胺化；（3）预胺化后，涂覆一层正胶；（4）接着将硅片置于烘箱内烘干，温度为140℃，对正胶进行固化；（5）用NaOH的溶液浸泡，再用去离子水冲净，置于80℃的烘箱内使其水分挥发，之后与O₂进行刻蚀处理。避免了单独使用正胶或聚酰亚胺作为牺牲层的缺点，又充分利用了他们的长处，缩短了牺牲层去除的时间，去除的比较干净并且所需时间短。

主权项

一种微机电系统复合牺牲层的处理方法，其特征在于包括如下步骤：（1）首先在硅片表面旋涂一层聚酰亚胺，在涂覆之前把电镀号传输线结构的硅片烘干；接着滴几滴聚酰亚胺在硅片的中央，使用匀胶机逐渐加速旋转使聚酰亚胺散开，均匀的覆盖在硅衬底上；在涂完聚酰亚胺，把聚酰亚胺放在密封的盒子里使其自然流平；（2）将步骤（1）所得硅片在80℃的温度下烘烤30min，然后在110℃的温度下烘烤1h进行预胺化；（3）预胺化后，涂覆一层正胶，将匀胶机转速确定为2500r/min，匀胶时间为5s，甩胶时间为20s得到厚度为2μm的正胶，之后在90℃温度下进行前烘，曝光45s，之后在质量分数为0.6%NaOH溶液里显影90s；（4）接着将硅片置于烘箱内烘干，温度为140℃，对正胶进行固化；（5）用质量分数为6%的NaOH的溶液浸泡，之后再用去离子水冲净，置于80℃的烘箱内使其水分挥发，之后与O₂进行刻蚀处理。