[发明专利]具有新型扩展电极结构的发光二极管及其制造方法

摘要

具有新型扩展电极结构的发光二极管及其制造方法，属于光电子技术领域，在外延片上制作镜面反射层，键合衬底后，去除外延片上的基板、缓冲层和截止层，露出N-GaAs欧姆接触层，再制作图形化的N-GaAs欧姆接触层，本发明通过制作出图形的N-GaAs欧姆接触层，再利用电子束蒸镀和蚀刻工艺制作出同N-GaAs欧姆接触图形套合的扩展电极，再利用负胶剥离工艺制作出主电极，工艺简单，主电极的尺寸大于扩展电极尺寸，既保证了扩展电极层与N-GaAs欧姆接触层的充分结合，形成良好的欧姆接触，又对于图案化N-GaAs欧姆接触层起到了保护作用，提高了扩展电极与外延层的附着性和完整性，确保发光器件工作电压稳定。

主权项

具有新型扩展电极结构的发光二极管，在具有背电极的衬底上依次设置有金属键合层、镜面反射层、外延层、扩展电极和主电极，外延层通过镜面反射层连接在金属键合层上；外延层包括P‑GaP电流扩展层、缓冲层、P‑AlGaInP限制层、MQW多量子阱有源层、N‑AlGaInP限制层、N‑AlGaInP电流扩展层、粗化层和N‑GaAs欧姆接触层；其特征在于所述N‑GaAs欧姆接触层为图形化的N‑GaAs欧姆接触层，扩展电极设置在图形化的N‑GaAs欧姆接触层上并与图形化的N‑GaAs欧姆接触层形成电学连接，在扩展电极上设置主电极，且扩展电极掩埋在主电极中，扩展电极尺寸小于主电极尺寸。