[发明专利]一种半导体器件及其制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201410538013.4 | 申请日： | 2014-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN105576023B | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;郑喆 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置，所述方法包括步骤S1：提供基底，在所述基底中形成有若干鳍片，在所述鳍片上形成有间隙壁材料层；步骤S2：在所述基底上形成掩膜叠层并图案化，以形成开口，露出间隙壁材料层；步骤S3：蚀刻所述间隙壁材料层，以在所述鳍片的侧壁上形成间隙壁并露出所述鳍片；步骤S4：蚀刻所述间隙壁和所述鳍片，以在所述鳍片的顶部形成平坦的表面；步骤S5：圆化所述鳍片的顶部，以得到圆滑的表面。本发明所述方法使所述鳍片的表面更加圆滑，从而在外延SiGe时具有更好的效果，极大的提高了半导体器件的性能和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制备方法，包括：步骤S1：提供基底，在所述基底中形成有若干鳍片，在所述鳍片上形成有间隙壁材料层；步骤S2：在所述基底上形成掩膜叠层并图案化，以形成开口，所述开口露出所述间隙壁材料层；步骤S3：蚀刻所述间隙壁材料层，以在所述鳍片的侧壁上形成间隙壁并露出所述鳍片；步骤S4：蚀刻所述间隙壁和所述鳍片，以在所述鳍片的顶部形成平坦的表面；步骤S5：圆化所述鳍片的顶部，以得到圆滑的表面。
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