[发明专利]单片式混合整流二极管结构在审
| 申请号： | 201410529716.0 | 申请日： | 2014-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN105575962A | 公开（公告）日： | 2016-05-11 |
| 发明（设计）人： | 郑谦兴 | 申请（专利权）人： | 硕颉科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/08 | 分类号： | H01L27/08 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 曹玲柱 |
| 地址： | 中国台湾台北市松山区*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种单片式混合整流二极管结构。该单片式混合整流二极管结构包括芯片、至少一PIN二极管、至少一肖特基二极管以及终端结构。芯片具有第一主动区、第二主动区与终端区。PIN二极管配置于第一主动区上。肖特基二极管配置于第二主动区上。终端结构配置于终端区上，其中终端区分隔第一主动区与第二主动区，且PIN二极管与肖特基二极管共享终端结构。 | ||
| 搜索关键词： | 单片 混合 整流二极管 结构 | ||
【主权项】：
一种单片式混合整流二极管结构，其特征在于，包括：芯片，具有第一主动区、第二主动区与终端区；至少一PIN二极管，配置于该第一主动区上；至少一肖特基二极管，配置于该第二主动区上；以及终端结构，配置于该终端区上，其中该终端区分隔该第一主动区与该第二主动区，且该PIN二极管与该肖特基二极管共享该终端结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
