[发明专利]一种半导体器件的制造方法和电子装置

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。该方法包括：步骤S101：在半导体衬底上依次形成第一硬掩膜层和第二硬掩膜层，进行刻蚀以形成用于容置浅沟槽隔离的沟槽；步骤S102：在沟槽内形成浅沟槽隔离；步骤S103：去除第二硬掩膜层，形成浮栅材料层；步骤S104：执行如下工艺过程至少两次：形成覆盖浮栅材料层的缓冲层，通过CMP工艺去除缓冲层高于浮栅材料层的部分以及浮栅材料层的一部分；步骤S105：通过干法刻蚀去除浮栅材料层高于浅沟槽隔离的部分以及缓冲层的剩余部分以形成浮栅。该方法可以保证浅沟槽隔离和浮栅内不具有空洞且浮栅具有良好的形貌。该电子装置包括上述的半导体器件，同样具有上述优点。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S101：在半导体衬底上依次形成第一硬掩膜层和第二硬掩膜层，对所述第二硬掩膜层、所述第一硬掩膜层和所述半导体衬底进行刻蚀以形成用于容置浅沟槽隔离的沟槽；步骤S102：在所述沟槽内填充介电材料并进行CMP以形成浅沟槽隔离；步骤S103：去除所述第二硬掩膜层，形成覆盖所述第一硬掩膜层与所述浅沟槽隔离的浮栅材料层；步骤S104：多次重复执行缓冲层形成和缓冲层去除的如下工艺过程，重复次数为至少两次：形成覆盖所述浮栅材料层的缓冲层，通过CMP工艺去除所述缓冲层高于所述浮栅材料层的部分以及所述浮栅材料层的一部分；步骤S105：通过干法刻蚀去除所述浮栅材料层高于所述浅沟槽隔离的部分以及所述缓冲层的剩余部分以形成浮栅。