[发明专利]碳纳米管及其制备方法无效
| 申请号： | 201410523204.3 | 申请日： | 2014-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN104512879A | 公开（公告）日： | 2015-04-15 |
| 发明（设计）人： | 裵胜勇;李仑泽;金炳烈;金重仁;安盛熙 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;B01J23/889;B01J23/881;B01J23/882;B01J23/883;B01J23/745;B01J23/75;B01J23/755;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;张英 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了碳纳米管及其制备方法。碳纳米管包括选自铝(Al)、镁(Mg)和硅(Si)中的至少一种元素和选自钴(Co)、镍(Ni)、铁(Fe)、锰(Mn)和钼(Mo)中的至少一种金属，并具有通过拉曼光谱测得的1.10或更低的强度比(ID/IG)以及98％或更高的碳纯度。可以在碳纯度和制备产量方面控制通过该方法制备的碳纳米管，同时消除了对于后精制处理的需要。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
碳纳米管，包含：选自铝Al、镁Mg和硅Si中的至少一种元素；和选自钴Co、镍Ni、铁Fe、锰Mn和钼Mo中的至少一种金属，所述碳纳米管具有通过拉曼光谱测得的1.10或更低的强度比ID/IG以及98％或更高的碳纯度。
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