[发明专利]低密度碳纳米管阵列复合电极制备及其在葡萄糖传感器中的应用有效
| 申请号： | 201410521648.3 | 申请日： | 2014-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN104237345B | 公开（公告）日： | 2017-01-11 |
| 发明（设计）人： | 朱志刚;陈诚;吴益华 | 申请（专利权）人： | 上海第二工业大学 |
| 主分类号： | G01N27/30 | 分类号： | G01N27/30;G01N27/416 |
| 代理公司： | 上海东创专利代理事务所(普通合伙)31245 | 代理人： | 宁芝华 |
| 地址： | 201209 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及低密度碳纳米管阵列复合电极制备及其在葡萄糖传感器中的应用。本发明的低密度碳纳米管阵列复合电极为基板上定向生长有碳纳米管阵列的电极，所述碳纳米管阵列的碳纳米管的顶部及管壁附着有纳米金属颗粒，所述碳纳米管阵列密度为108‑1010/cm2。本发明的复合电极在无酶情况下对葡萄糖溶液有良好的响应，灵敏度可达1000‑1500μA mM‑1cm‑2，线性检测范围为5μM‑7mM，同时可以消除常见干扰物的影响。该电极另一突出优点是可以直接制备在硅基片上，因此可以与半导体或MEMS(微机电系统)工艺有良好的结合。 | ||
| 搜索关键词： | 密度 纳米 阵列 复合 电极 制备 及其 葡萄糖 传感器 中的 应用 | ||
【主权项】：
一种低密度碳纳米管阵列复合电极，为基板上定向生长有碳纳米管阵列的电极，所述碳纳米管阵列的碳纳米管的顶部及管壁附着有纳米金属颗粒，所述碳纳米管阵列密度为108‑1010/cm2，所述基板为表面覆盖绝缘层的硅片，所述基板上交叉覆盖有W薄膜及ITO/Ni薄膜，所述ITO/Ni薄膜上生长碳纳米管阵列，所述纳米金属颗粒选自Ni、Fe或Ni/Fe合金纳米颗粒。
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