[发明专利]一种小电流高压硅堆清洗工艺

摘要

本发明涉及一种小电流高压硅堆清洗工艺，步骤为首先，利用机械臂将高压硅堆放入混酸溶液中清洗，将经过混酸清洗后的高压硅堆放入溢水中清洗；然后，再利用机械臂将高压硅堆放入稀HNO溶液中进行清洗，将经过稀HNO清洗后的高压硅堆放入溢水中清洗；最后，利用机械臂将高压硅堆放入稀HF中清洗，将经过稀HF清洗后的高压硅堆放入溢水中清洗；同时，在清洗的过程中，机械臂自动摆动，最后，将高压硅堆放入甩干机中进行脱水处理，脱水的时间t4=180s，完成清洗。本发明的优点在于利用本工艺对焊接后的小电流高压硅堆进行清沟，可以很好的去除附着在高压硅堆表面的焊油、水汽等杂质，相应的增加其耐久性及可靠性。

主权项

一种小电流高压硅堆清洗工艺，其特征在于：步骤为：a）首先，利用机械臂将高压硅堆放入混酸溶液中清洗，清洗的时间t1=222s±5s,混酸溶液的温度 T=10℃±2℃，同时，在清洗的过程中，机械臂自动摆动，以方便高压硅堆能够充分与混酸溶液接触；b）将经过混酸清洗后的高压硅堆放入溢水中清洗，同时，在清洗的过程中，机械臂自动摆动，以除去高压硅堆表面的混酸溶液；c）然后，再利用机械臂将高压硅堆放入稀HNO溶液中进行清洗，清洗的时间t2=22s±1s，同时，在清洗的过程中，机械臂自动摆动，以方便高压硅堆能够充分与稀HNO溶液接触；d）将经过稀HNO3清洗后的高压硅堆放入溢水中清洗，同时，在清洗的过程中，机械臂自动摆动，以除去高压硅堆表面的稀HNO溶液；e）最后，利用机械臂将高压硅堆放入稀HF中清洗，清洗的时间t3=22s±1s，同时，在清洗的过程中，机械臂自动摆动，以方便高压硅堆能够充分与稀HF溶液接触；f）将经过稀HF清洗后的高压硅堆放入溢水中清洗，同时，在清洗的过程中，机械臂自动摆动，以除去高压硅堆表面的稀HF溶液；g）最后，将高压硅堆放入甩干机中进行脱水处理，脱水的时间t4=180s，完成清洗。