[发明专利]一种沟槽肖特基二极管及制作方法在审
| 申请号： | 201410516174.3 | 申请日： | 2014-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN105529371A | 公开（公告）日： | 2016-04-27 |
| 发明（设计）人： | 周宏伟;阮孟波;孙晓儒 | 申请（专利权）人： | 无锡华润华晶微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 路凯;胡彬 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽肖特基二极管及制作方法，所述沟槽肖特基二极管包括：衬底；外延层，生长于所述衬底之上，所述外延层的上部形成有多个沟槽，所述多个沟槽包括位于有源区的有源区沟槽和至少一个位于终端区的终端区沟槽；栅极氧化层，形成于所述多个沟槽的侧壁和底部，以及终端区外延层的表面；多晶硅结构，形成于所述多个沟槽内；场氧层，形成于所述终端区沟槽内的多晶硅结构，以及所述终端区的栅极氧化层上；金属溅镀层，形成于所述有源区的外延层、有源区沟槽内多晶硅结构、以及所述场氧层的表面上。本发明在器件的有源区和划片道之间引入终端区沟槽，所述终端区沟槽与有源区的沟槽同步形成，不需要额外的光刻板，降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 肖特基 二极管 制作方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽肖特基二极管，其特征在于，包括：衬底；外延层，生长于所述衬底之上，所述外延层的上部形成有多个沟槽，所述多个沟槽包括位于有源区的有源区沟槽和至少一个位于终端区的终端区沟槽；栅极氧化层，形成于所述多个沟槽的侧壁和底部及终端区外延层的表面；多晶硅结构，形成于所述多个沟槽内，并覆盖在所述多个沟槽内的栅极氧化层上；场氧层，形成于所述终端区沟槽内的多晶硅结构上及所述终端区的栅极氧化层上；金属溅镀层，形成于所述有源区的外延层、有源区沟槽内的多晶硅结构及所述场氧层的表面上；第三金属层，形成于所述衬底下方。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡华润华晶微电子有限公司，未经无锡华润华晶微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410516174.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
