[发明专利]利用选择区域外延技术制作激光器阵列的方法在审
| 申请号： | 201410510052.3 | 申请日： | 2014-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN104242059A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 梁松;朱洪亮 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/40 | 分类号： | H01S5/40;H01S5/30 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种利用选择区域外延技术制作激光器阵列的方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上外延生长下分别限制层及量子阱层；步骤2：在量子阱层上制作选择区域外延介质掩膜图形；步骤3：选择区域外延生长上分别限制层；步骤4：去掉介质掩膜图形；步骤5：在上分别限制层上制作光栅，不同掩膜对间距或宽度变化周期内的激光器光栅周期不同；步骤6：在光栅上生长接触层，完成制备。本发明在获得不同阵列单元不同发光波长的同时可以保证阵列单元激光器光学性能的一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 选择 区域 外延 技术 制作 激光器 阵列 方法 | ||
【主权项】：
一种利用选择区域外延技术制作激光器阵列的方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上外延生长下分别限制层及量子阱层；步骤2：在量子阱层上制作选择区域外延介质掩膜图形；步骤3：选择区域外延生长上分别限制层；步骤4：去掉介质掩膜图形；步骤5：在上分别限制层上制作光栅，不同掩膜对间距或宽度变化周期内的激光器光栅周期不同；步骤6：在光栅上生长接触层，完成制备。
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