[发明专利]垂直STT-MRAM的磁性屏蔽有效
| 申请号： | 201410500816.0 | 申请日： | 2014-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN104518080B | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | R.阿林格;K.霍夫曼;K.克诺布洛赫;R.施特伦茨 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;G11C11/15 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠伟进;胡莉莉 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及垂直STT‑MRAM的磁性屏蔽。一种存储器具有垂直自旋转移矩（STT）磁性随机访问存储器（MRAM）单元的阵列，其中每个单元具有磁性层堆叠。磁性屏蔽物设置在单元之间并且具有至少磁性层堆叠的高度的最小高度。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 stt mram 磁性 屏蔽 | ||
【主权项】：
1.一种存储器，包括：垂直自旋转移矩（STT）磁性随机访问存储器（MRAM）单元的阵列，其中每个单元具有磁性层堆叠；磁性屏蔽物，设置在所述单元之间并且具有至少所述磁性层堆叠的高度的最小高度，以便由此屏蔽所述单元免受存储器外部磁场的影响；以及隔离层，直接设置在所述磁性屏蔽物和顶部电极上；其中，所述顶部电极通过通孔确保所述磁性层堆叠和金属层之间的电接触。
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